聚焦Navitas公司全網(wǎng)新聞事件、熱點話題、人物動態(tài)、產(chǎn)品資訊（2025年7月4日更新）
GaN是下一代半導體技術，其運行速度比傳統(tǒng)硅快 20 倍，功率增加 3 倍，節(jié)能 40%，充電速度提高 3 倍，而尺寸和重量減半。...
Navitas GaNFast IC 于三年前首次向移動客戶推出，并已成為這些市場的主流顛覆性力量，為具有超輕量和小型化外形的移動設備提供前所未有的高效和超快速充電。...
氮化鎵 (GaN ) 是一種下一代半導體技術，其運行速度比傳統(tǒng)硅快 20 倍，并且在尺寸和重量減半的情況下，功率提高了 3 倍，充電速度提高了 3 倍。...
iQOO 120W GaNFast 充電器重量僅為 135 克，是 GaN 充電歷史上的另一個里程碑，這意味著它在尺寸和重量上與普通的 65W 充電器相似。...
新的設計中心位于中國杭州，擁有一支經(jīng)驗豐富的世界級電力系統(tǒng)設計師團隊，他們在電氣、熱力和機械設計、軟件開發(fā)以及完整的仿真和原型設計能力方面具有全面的能力。...
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