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          圖片信息
          IRF6618TR1圖片
          基本技術信息:
        1. 電子器件型號:IRF6618TR1
        2. 原始制造廠商:IR,國際整流器
        3. 技術標準參數(shù):MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
        4. 產(chǎn)品應用分類:單端場效應管
        5. 點擊此處下載IRF6618TR1的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
        6. 現(xiàn)貨供應,最快當日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
        7. 技術參數(shù)詳解:
        8. 制造商產(chǎn)品型號:IRF6618TR1
        9. 制造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛凌INFINEON收購
        10. 描述:MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
        11. 系列:HEXFET
        12. FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
        13. FET 功能:邏輯電平門
        14. 漏源極電壓 (Vdss):30V
        15. 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):30A(Ta),170A(Tc)
        16. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):2.2 毫歐 @ 30A,10V
        17. 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 250μA
        18. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):65nC @ 4.5V
        19. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):5640pF @ 15V
        20. 功率 - 最大值:2.8W
        21. 安裝類型:表面貼裝
        22. 產(chǎn)品封裝:DirectFET 等容 MT
        23. 供應商器件封裝:DIRECTFET MT
        24. IRF6618TR1均從IR代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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