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圖片信息
IRFHE4250DTRPBF圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:IRFHE4250DTRPBF
  • 原始制造廠商:IR,國際整流器
  • 技術標準參數(shù):MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
  • 產(chǎn)品應用分類:場效應管陣列
  • 點擊此處下載IRFHE4250DTRPBF的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:IRFHE4250DTRPBF
  • 制造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛凌INFINEON收購
  • 描述:MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
  • 系列:FASTIRFET
  • FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):86A,303A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):2.75 毫歐 @ 27A, 10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 35μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):20nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1735pF @ 13V
  • 功率 - 最大值:156W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產(chǎn)品封裝:32-PowerWFQFN
  • 供應商器件封裝:32-PQFN (6x6)
  • IRFHE4250DTRPBF均從IR代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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