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圖片信息
IS43R86400E-6TLI圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:IS43R86400E-6TLI
  • 原始制造廠商:ISSI
  • 技術(shù)標準參數(shù):IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
  • 產(chǎn)品應用分類:存儲器
  • 點擊此處下載IS43R86400E-6TLI的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:IS43R86400E-6TLI
  • 制造商:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
  • 產(chǎn)品系列:存儲器
  • 包裝:托盤
  • 系列:-
  • 零件狀態(tài):有源
  • 存儲器類型:易失
  • 存儲器格式:DRAM
  • 技術(shù):SDRAM - DDR
  • 存儲容量:512Mb(64M x 8)
  • 存儲器接口:并聯(lián)
  • 時鐘頻率:166MHz
  • 寫周期時間-字,頁:15ns
  • 訪問時間:700ps
  • 電壓-供電:2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 產(chǎn)品封裝:66-TSSOP (szeroko?? 0,400,10,16mm)
  • IS43R86400E-6TLI均從ISSI代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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