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圖片信息
SPI11N65C3圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:SPI11N65C3
  • 原始制造廠商:Infineon,英飛凌
  • 技術標準參數(shù):MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
  • 產品應用分類:單端場效應管
  • 點擊此處下載SPI11N65C3的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • Infineon英飛凌公司完整型號:SPI11N65C3
  • 制造廠家名稱:Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
  • 系列:CoolMOS?
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):650V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):11A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):380 毫歐 @ 7A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 500μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):60nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1200pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:125W
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA
  • 供應商器件封裝:PG-TO262-3
  • SPI11N65C3均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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