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圖片信息
A2G35S160-01SR3圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:A2G35S160-01SR3
  • 原始制造廠商:NXP,恩智浦半導體
  • 技術標準參數:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
  • 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:A2G35S160-01SR3
  • 制造商:NXP USA Inc.
  • 描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
  • 零件狀態(tài):有源
  • 晶體管類型:LDMOS
  • 頻率:3.4GHz ~ 3.6GHz
  • 增益:15.7dB
  • 電壓-測試:48V
  • 額定電流(安培):-
  • 噪聲系數:-
  • 電流-測試:190mA
  • 功率-輸出:51dBm
  • 電壓-額定:125V
  • 封裝:NI-400S-2S
  • A2G35S160-01SR3均從NXP代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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