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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：PHD63NQ03LT,118

原始制造廠商：NXP，恩智浦半導體

技術標準參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 68.9A DPAK

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數(shù)詳解：

制造商產品型號：PHD63NQ03LT,118

制造商：NXP USA Inc.

描述：MOSFET N-CH 30V 68.9A DPAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：TrenchMOS?

零件狀態(tài)：停產

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：68.9A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：13 毫歐 @ 25A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：9.6nC @ 5V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：920pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：111W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：DPAK

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