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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：FAM65HR51DS2

技術標準參數：IGBT MODULE 650V 33A 135W

產品應用分類：晶體管 - IGBT - 模塊

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技術參數詳解：

制造商產品型號：FAM65HR51DS2

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT MODULE 650V 33A 135W

系列：晶體管 - IGBT - 模塊

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：-

配置：半橋逆變器

電壓-集射極擊穿（最大值）：650V

電流-集電極(Ic)（最大值）：33A

功率-最大值：135W

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：-

電流-集電極截止（最大值）：-

不同?Vce時輸入電容(Cies)：4.86nF @ 400V

輸入：標準

NTC熱敏電阻：無

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：-

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