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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：2SK3799(Q)

技術標準參數：MOSFET N-CH 900V 8A TO220SIS

產品應用分類：單端場效應管

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技術參數詳解：

東芝半導體公司完整型號：2SK3799(Q)

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 900V 8A TO220SIS

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：900V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：8A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：1.3 歐姆 @ 4A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：60nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2200pF @ 25V

功率 - 最大值：50W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3 整包

供應商器件封裝：TO-220SIS

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