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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：TJ11A10M3,S5Q(M

技術標準參數：MOSFET P-CH 100V 11A TO220SIS-3

產品應用分類：FET - 單

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技術參數詳解：

東芝半導體公司完整型號: TJ11A10M3,S5Q(M

制造廠家名稱: Toshiba Semiconductor and Storage

功能總體簡述: MOSFET P-CH 100V 11A TO220SIS-3

系列: -

FET 類型: MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能: 標準

漏源極電壓（Vdss）: 100V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）: 11A（Ta）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 130 毫歐 @ 5.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 69nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 3200pF @ 10V

功率 - 最大值: 24W

安裝類型: 通孔

封裝/外殼: TO-220-3 整包

供應商器件封裝: TO-220SIS

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