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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：TK39A60W,S4VX

原始制造廠商：Toshiba，東芝半導體

技術標準參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：TK39A60W,S4VX

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：DTMOSIV

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：38.8A（Ta）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：65 毫歐 @ 19.4A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 1.9mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：110nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：4100pF @ 300V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：50W（Tc）

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：通孔

器件封裝：TO-220SIS

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