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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：SQJ460AEP-T1_GE3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術標準參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數(shù)詳解：

制造商產品型號：SQJ460AEP-T1_GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：*

零件狀態(tài)：有源

FET類型：-

技術：-

漏源電壓（Vdss）：-

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：32A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：-

不同Id時Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：-

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作溫度：-

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：PowerPAK? SO-8

SQJ460AEP-T1_GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Vishay

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