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Everspin Technologies 希望，隨著其 MRAM 產(chǎn)量的增加，特定行業(yè)將更青睞價(jià)值而非每比特價(jià)格。

MRAM 先驅(qū)者剛剛發(fā)布了一份與 SMART Modular Technologies 聯(lián)合交付的 nvNITRO 解決方案的應(yīng)用白皮書。根據(jù) Pat Patla 的說(shuō)法，兩家公司合作開發(fā)了 nvNITRO NVMe 存儲(chǔ)加速器，并專注于聯(lián)合開發(fā)多個(gè)垂直市場(chǎng)，首先是金融技術(shù) (FinTech) 領(lǐng)域，nvNITRO 可以增加數(shù)據(jù)吞吐量并減少關(guān)鍵存儲(chǔ)瓶頸，Everspin 營(yíng)銷高級(jí)副總裁。

Patla 在接受 EE Times 的電話采訪時(shí)表示，nvNITRO NVMe 存儲(chǔ)加速器可以將金融交易的延遲減少 90%，這有助于金融科技公司滿足經(jīng)常需要同步日志記錄的合規(guī)性規(guī)則。這會(huì)增加延遲并造成事務(wù)處理瓶頸。如白皮書所述，nvNITRO 顯著降低延遲的能力使金融科技公司能夠更快地記錄交易，從而增加整體交易量，并最終增加收入。同時(shí)，STT-MRAM 的持久性也有助于必要的合規(guī)性，因?yàn)樗�有�?shù)據(jù)日志都受到保護(hù)。

隨著 Everspin 開始大規(guī)模生產(chǎn)其 STT-MRAM，垂直焦點(diǎn)隨之而來(lái)。EverSpin代理商在 2017 年第四季度實(shí)現(xiàn)了其首個(gè) 40nm 256Mb STT-MRAM 產(chǎn)品的收入記錄的一個(gè)顯著里程碑，并在 2018 年增加其量產(chǎn)。有少數(shù)公司在使用 MRAM，但 Everspin 是唯一一家商業(yè)化的公司提供分立和嵌入式 MRAM 產(chǎn)品，部分歸功于與 GlobalFoundries 的合作。

Everspin 將其 256Mb STT-MRAM 吹捧為首款進(jìn)入量產(chǎn)的垂直 MTJ STT-MRAM。Patla 表示，其 ST-DDR3 / ST-DDR4 接口的設(shè)計(jì)盡可能接近標(biāo)準(zhǔn)，因此客戶可以通過(guò)一些微小的更改輕松地將其集成到他們的系統(tǒng)中，主要是內(nèi)存控制器。Everspin 的 STT-MRAM 也符合 NVMe 標(biāo)準(zhǔn)。

Patla 承認(rèn)，在制定標(biāo)準(zhǔn)之前，客戶會(huì)擔(dān)心獨(dú)家采購(gòu)該技術(shù)�！癉DDR5 是每個(gè)人都聚集的地方，”他說(shuō)。

該公司通過(guò)提供接近 DRAM 的性能和非易失性，專注于需要快速、持久內(nèi)存的領(lǐng)域。“閃存在旋轉(zhuǎn)媒體旁邊提供了出色的性能，但與 DRAM 或 MRAM 相比，它的速度要慢得多，”Patla 說(shuō)。他將自旋扭矩 MRAM 描述為一個(gè)三足凳，由性能、耐力和鉆頭空氣速率組成，具有非易失性。

文本

Everspin 的 MRAM 技術(shù)使用垂直 MTJ。該公司已開發(fā)出具有高垂直磁各向異性的材料和垂直 MTJ 堆疊設(shè)計(jì)，可提供長(zhǎng)數(shù)據(jù)保留、小單元尺寸、更大密度、高耐用性和低功耗。

除了看到采用 MRAM 價(jià)值的金融科技等特定垂直行業(yè)，Patla 表示，Everspin 的目標(biāo)是三個(gè)領(lǐng)域：人工智能 (AI)、邊緣計(jì)算和數(shù)字化轉(zhuǎn)型，其中包括數(shù)據(jù)中心應(yīng)用。由于 MRAM 僅用戶在讀寫時(shí)供電，因此隨著數(shù)據(jù)中心外部處理需求的增加和物聯(lián)網(wǎng)部署的增長(zhǎng)，它非常適合邊緣計(jì)算環(huán)境。

Patla 說(shuō)，價(jià)格不是 MRAM 采用的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素。相反，需要快速、持久內(nèi)存的特定應(yīng)用程序正在指導(dǎo)客戶的決策�！叭藗冑�(gòu)買的依據(jù)是價(jià)值主張，而不是每 GB 的美元，”他說(shuō)。 

Coughlin Associates 創(chuàng)始人 Thomas Coughlin 表示，目前 MRAM 的價(jià)格仍然很高，但它是最有趣的新興內(nèi)存技術(shù)，因?yàn)樗�的性能接�?SRAM 和 DRAM，而且它的耐用性非常高。Coughlin 說(shuō)，MRAM 對(duì)緩存緩沖和特定應(yīng)用很有意義，例如用于金融應(yīng)用的 nvNITRO NVMe 存儲(chǔ)加速器。

“快速進(jìn)行交易很重要，但記錄也同樣重要，”Coughlin 說(shuō)�！斑@是一個(gè)有趣的案例研究。時(shí)間就是金錢，他們賺的比花的多�！�

Coughlin 表示，專業(yè)的利基市場(chǎng)愿意為 MRAM 的速度和非易失性的結(jié)合買單。他指出，Everspin 的出貨量已經(jīng)超過(guò) 7000 萬(wàn)臺(tái)，它與 GlobalFoundries 的晶圓和嵌入式產(chǎn)品合作為增加產(chǎn)量提供了可能性。滿足吸引更多銷量的利基市場(chǎng)將有助于 Everspin 的 MRAM 變得更加主流。“這就是 GlobalFoundries 產(chǎn)品的用武之地，”他說(shuō)。

Coughlin 表示，三星和臺(tái)積電今年也將生產(chǎn) MRAM 產(chǎn)品，這增強(qiáng)了 MRAM 的有趣可能性�！斑@讓我認(rèn)為人們普遍認(rèn)為 MRAM 占有一席之地，”他說(shuō)。

隨著其他 MRAM 制造商的成熟，例如 Spin Transfer Technologies，競(jìng)爭(zhēng)可能導(dǎo)致價(jià)格受到擠壓。Coughlin 表示，擁有多個(gè)供應(yīng)商會(huì)創(chuàng)造一個(gè)更有活力的市場(chǎng)，而 2018 年將是發(fā)展可行供應(yīng)鏈的重要一年。

MRAM 不會(huì)立即在任何應(yīng)用中取代 SRAM 和 DRAM，Coughlin，但這些存儲(chǔ)器和 NAND 閃存之間存在差距需要填補(bǔ)�！�3D Xpoint 正試圖填補(bǔ)這一空白，但與 DRAM 相距甚遠(yuǎn)，”他說(shuō)。同樣重要的是要記住，閃存需要幾十年才能與硬盤競(jìng)爭(zhēng)，他補(bǔ)充說(shuō)。

與此同時(shí)，ReRAM 和 FRAM 作為填補(bǔ) DRAM 和閃存之間空白的新興存儲(chǔ)器都值得關(guān)注，Coughlin 說(shuō)�！斑@是一個(gè)名副其實(shí)的技術(shù)動(dòng)物園，我們將不得不拭目以待，看看哪些動(dòng)物在進(jìn)化過(guò)程中幸存下來(lái)，”他補(bǔ)充道。