Transphorm, Inc.是高可靠性、高性能氮化鎵 (GaN) 電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商，宣布使用 Microchip Technology 的數(shù)字信號處理技術(shù)擴展其設(shè)計工具。TDTTP2500B066B-KIT 是一款 2.5 kW 交流轉(zhuǎn)直流無橋圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 評估板。它將 Transphorm 的 SuperGaN® FET 與 Microchip 的 dsPIC33CK 數(shù)字信號控制器 (DSC) 板配對，其中包括可根據(jù)最終應(yīng)用要求輕松定制的預(yù)編程固件。使用新板可以更快地開發(fā)數(shù)據(jù)中心和廣泛的工業(yè)電源。
TDTTP2500B066B-KIT 可與使用 Transphorm 最新的 SuperGaN Gen IV 器件 TP65H050G4BS 的子卡一起提供現(xiàn)貨供應(yīng)，TP65H050G4BS 是一種采用 TO-263 (D2PAK) 封裝的 650 V SMD SuperGaN FET，具有 50 毫歐的典型導(dǎo)通電阻。
新板還引入了一項高級功能以提高其可用性：可更換的子卡容納 Transphorm 的 GaN 器件。因此，設(shè)計工程師還可以通過使用單獨出售的第二個可選子卡 TDHB-65H070L-DC 來評估具有 72 毫歐導(dǎo)通電阻的 TP65H070LDG/LSG GaN 器件。該子卡是 50 毫歐 FET 卡的直接替代品。
與第一款 SuperGaN/Microchip DSC 評估板（4 kW TDTTP4000W066C-KIT）一樣，2.5 kW 評估板得到了 Microchip 全球技術(shù)支持團隊的支持，以獲得固件開發(fā)幫助。
“我們與 Transphorm 的持續(xù)合作為不斷增長的 GaN 電源轉(zhuǎn)換市場提供創(chuàng)新的電力電子解決方案，” Microchip MCU16 業(yè)務(wù)部副總裁Joe Thomsen說�！癕icrochip 大力投資于通過智能集成解決方案引領(lǐng)技術(shù)變革。我們的數(shù)字信號處理器的性能和靈活性非常適合基于 GaN 的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的苛刻要求�！�
Microchip 的 dsPIC® DSC 由一組嵌入式設(shè)計工具支持，這些工具旨在為開發(fā)人員提供支持，即使是專業(yè)知識有限的開發(fā)人員。這些工具為 Microchip 免費的 MPLAB® X 集成開發(fā)環(huán)境中的器件初始化提供直觀的圖形用戶界面。軟件工具由全系列的編程器、調(diào)試器和仿真器附件補充。
Transphorm 的 TDTTP2500B066B-KIT 中使用的 DSC 集成解決方案具有以下特點：
650 V 50 mΩ SuperGaN FET (TP65H050G4BS)
輸入電壓：85 V AC至 265 V AC，47Hz 至 63Hz
輸入電流：18 Arms；115V AC時為 1250 W，230 V AC時為 2500 kW
輸出電壓：390 V DC ± 5 V DC （可編程）
死區(qū)時間：可編程
PWM頻率：66kHz
功率因數(shù)：>0.99
該板圍繞 Microchip 的 dsPIC33CK 數(shù)字電源插件模塊 (PIM) 設(shè)計，用于控制 PFC 動力系統(tǒng)，具有以下預(yù)編程 PIM 功能：
Microchip 符合 AEC-Q100 標準的 dsPIC33CK256MP506 數(shù)字信號控制器
100 MIPS 在時間關(guān)鍵型控制應(yīng)用中實現(xiàn)快速確定性性能
雙閃存面板 – 可在電源運行時實時更新代碼
高度模擬集成，可降低 BOM 成本并最小化系統(tǒng)尺寸
分辨率為 250 ps 的 PWM
“我們通過消除設(shè)計挑戰(zhàn)、簡化開發(fā)和Transphorm代理商加快上市速度，確保我們的客戶能夠輕松利用我們 GaN 平臺的優(yōu)勢。Transphorm 全球技術(shù)營銷和業(yè)務(wù)開發(fā)高級副總裁Philip Zuk表示，集成 Microchip 復(fù)雜的 DSC 功能對于該任務(wù)至關(guān)重要�！拔覀儸F(xiàn)在提供最常用的功率級，其中 GaN 在具有預(yù)編程固件和可互換 GaN 器件配置的兩個功率級別中提供其最高價值主張�！�
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